ESTJ 공대생의 반도체 세상

Thin film 박막 공정은 반도체 제조에서 사용되는 공정 중 하나로, 반도체 기판 상에 아주 얇은 층을 증착하는 과정을 말합니다. 이러한 얇은 층은 반도체 소자의 기능을 결정하고, 전기적, 광학적, 또는 기계적 특성을 제어하는 데 사용됩니다.  크게 우리는 물리적증착 (PVD), 화학적증착 (CVD) 크게 두가지로 분류를 합니다 ! 오늘은 PVD에 대해서 간단히 다뤄 보겠습니다  1) Physical Vapor Depostion (PVD) PVD는 증착시키고 싶은 고체물질을 증착하는 기술로 고체물질을 기체상태로 변환 후 이를 직접적으로 타겟표면에 증착시켜 박막을 형성합니다. PVD에서도 스퍼터링(Sputtering), 열 증착 (Thermal Evaporation) 크게 두가지로 나눌 수 있습니다  ..

반도체 공정의 시작은 WAFER에서부터 ! 웨이퍼 제조는 반도체 공정의 첫 번째 단계 실리콘 (Si) 잉곳(Ingot) 을 얇게 썬 원판인 웨이퍼를 만드는 과정이다. 웨이퍼는 흔히 알고 있는 8대공정 거쳐 반도체 소자로 완성 된다. 웨이퍼 제조 공정은 크게 다음과 같은 단계로 이루어진다. 1. 원재료 준비 (POLY SILICON) 웨이퍼 제조의 첫 번째 단계는 원재료 준비이다. 웨이퍼의 재료로는 주로 실리콘(Si)이 사용되며, 모래를 원료로 하여 화학적 공정을 통해 순수한 실리콘을 얻는다. * 자연에서는 규소가 순수한 형태로 발견되는 일이 드물기 때문에 전체 규소 생산량의 약 15% 정도만이 순수한 형태로 분리되어 반도체 등 각종 전자제품의 부품으로 이용되며, 규소 단결정으로 성장시켜 정밀한 회로에 이..